发明者：Ralph Daniel eymond
当前美国分类：313/54;310/303;310/304;313/146;313/148
Patent number: 2926268
提交日期：1954年12月29日
发行日期：1960年2月23日
电子放电管装置技术领域本发明涉及电子放电管装置，更具体地涉及一种具有包含内部电源的多元件管。
Heretofore a triode type of tube, for example, has consisted, in its basic form, of a heater filament, emitter cathode, control grid and collector plate, the cathode, gride and plate or anode making up the base elements. In an infinite variety of circuits such tubes have been connected to external power supplies to derive their source of energy for heating the filament and thereby drive the cathode. In some tubes the cathode has been heated directly instead of indirectly. In their various environments such tubes have been very successful, yet they have had the shortcoming of having to have associated with them an expensive and heavy power supply. Furthermore, they have been of relatively short life.
本发明克服了这些先前外部动力管中固有的缺点。实际上，本发明的一个目的是提供一种管，其中电源是管本身的整体元件。
本发明的另一个目的是提供一种管，其中通过提供带电颗粒发射的放射源代替电子电源的管。
本发明的另一个目的是提供一种管，其中少于或没有发热。
通常，本发明的目的是通过代替带电粒子发射的放射源和相关的二次电子发射材料，用于多元件管的细丝和阴极来实现的。当辐射粒子撞击发射元件时，从二次发射元件驱动的电子将朝向收集板或阳极流动。中间板和发射器是必要的控制网格和/或抑制网格或网格。
The above and other objects of the claimed invention will become clear through a study of the description when read in conjunction with the accompanying drawings. Throughout the description and drawings like parts are represented by like numerals.
图。图1是根据本发明制造的管的优选实施例的剖视侧视图，并且
图。图2是根据本发明的教导制造的管的另一优选实施例的截面侧视图。
Referring now to Fig. 1, a source 1 of radioactive radiation designated by arrows 2 is positioned close to a semiconducting material 3. On the side of the semi-conducting material away from the radioactive hard particles radiation source is positioned a grid 4, and beyond the grid from the semi-conducting material is positioned a plate 5.
上述元件封闭在密封管6内。引线7和8延伸穿过管包络，使得可以通过栅格4和板5制成有效利用。在半导体3周围定位集电体3。具有外部引线10。
为了有效地定位带电粒子的放射源相对于半导体发射的发射，可以通过绝缘杆11保持，绝缘杆11具有延伸穿过包络的部分。可以使用在14处示意性地示出的真空型密封，从而可以在不影响的情况下进行放射性排放源的轴向位置的适当调整。
10个气态的管。可能使用的密封件的一个例子和描述于1947年2月25日的Hotine专利No.2,416,318中。然而，旨在限制的骚乱，因为很明显，可以设计许多方式以定位源。
在管的操作中，原子材料（例如锶90）的放射源1，铀的原子裂变的废料发出了主要高能量β粒子的硬辐射射线2 .-这些是通过适当成型的指导源极靠近辐射源的半导体晶片3。可能的半导体材料是硅，铅亚硫酸盐，硒等类似材料。半导体材料用作“：显示为箭头13所示的发射电子。通过放射源发出的高能粒子的初始线性速度用于敲击二次发射晶片的电子，并且电子移动将晶片的流朝向收集板;二次发射器内的多次发射发生并增加流的密度。由于硅具有电子的粘合性与其他材料的电子，因此似乎是使用的优选材料。
作为高能量辐射颗粒2击打并通过硅，它耗尽估计的20万电子13.由于锶90发出，每秒数亿粒子是大量的。电子从半导体或晶片3驱动。该来源的输出处于百万瓦的性质。从晶片3驱动的电子通过控制网格引导，该控制网格连接到调制信号源，到可以接收它们的板作为整流，放大或振荡信号。该晶片3可以用作引导电子对板的透镜，并且可以适当地形状。
由于电子连续地从晶片驱动，因此它将被带正电，因此可用于通过连接12偏振板，其可以在所述晶片的边缘上制造。为了消除来自辅助源3的任何寄生电流，提供收集器9，其将拾取任何杂散的电子并通过引线10进行接地。
现在参考图1. 2放射性辐射源1'定位在部件的球面布置的中心。这些包括靠近源极近的发射器材料3'。作为同心球的围绕发射器3'是栅格4'并且仍然从源进一步躺着是作为同心球的集电极板5'。
All of these elements, excluding the source which may or may not be, are maintained in spaced relationship with one another within a sealed envelope 6′ which is also spherical in shape.
为了提供对放射性辐射源的通道，其通过绝缘杆11'朝向和远离球形元件的几何中心移动，设置圆锥形部分，其在组件中形成腔体中的腔插入。
在密封的封套内，但是关于锥形切口腔的定位位于截短的锥形元件......download full version with images
